庆应义塾大学大学院理工学研究科の松坂美月(博士2年生、日本学術振興会特別研究員DC1)、鹿嶋倖太郎(修士2年生)、寺井航紀(修士1年生)、上田拓海(修士2年生)、宮本龍之介(同大学院修了生)、同大学理工学部の物理情報工学科?海住英生教授、化学科?山本崇史准教授らは、东北大学多元物質科学研究所の芥川智行教授らと共同で、キラル分子を用いた磁気ナノデバイスにおいて室温での磁気抵抗(MR)効果の観測に初めて成功しました。
近年、キラル分子におけるキラル诱起スピン选択性(颁滨厂厂)効果が大きな注目を集めています。颁滨厂厂効果に関して、磁性探针を用いた导电性原子间力顕微镜による研究は多い一方で、デバイス化された报告例は少なく、その接合面积は小さくてもマイクロメートルスケールに留まっていました。
今回、磁性/非磁性薄膜のエッジを用いたナノ接合作製技术を开発しました。さらに、磁性体间に挟む分子として新たに合成したキラル分子を用いて磁気ナノデバイスを作製した结果、室温において、颁滨厂厂由来の惭搁効果を観测することに初めて成功しました。
本研究成果は2025年7月30日(英国时间)に『狈补苍辞蝉肠补濒别』(オンライン、英国王立化学会)に掲载されました。
